Questão de Engenharia Elétrica · FCC TRT23 2022 (nº 34)

O IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) é um componente eletrônico que atua como uma chave controlada por tensão, combinando a facilidade de controle de um MOSFET (devido à sua alta impedância de entrada) com a capacidade de conduzir grandes correntes e tensões de um BJT (devido à sua baixa queda de tensão em condução). Ele é ideal para aplicações de alta potência onde é necessário comutar grandes quantidades de energia de forma eficiente.

• (A) Incorreta: A principal aplicação e vantagem do IGBT é para altas correntes, não baixas. Embora possa comutar baixas correntes, seu diferencial está na capacidade de lidar com alta potência.
• (B) Incorreta: Embora tenha alta impedância de entrada (o que é correto), a afirmação de baixa velocidade de comutação de cargas de alta corrente é falsa. Para cargas de alta corrente e alta potência, o IGBT oferece uma velocidade de comutação alta e eficiente, superando os BJTs e sendo uma escolha superior aos MOSFETs em termos de capacidade de potência. Armadilha da banca: A primeira parte da afirmação está correta (alta impedância de entrada), mas a segunda parte (baixa velocidade) é o erro crucial. A velocidade do IGBT é considerada alta no contexto de aplicações de alta potência.
• (C) Incorreta: O IGBT possui alta impedância de entrada, não baixa. Além disso, sua principal vantagem não é para cargas de baixa corrente, mas sim de alta corrente.
• (D) Incorreta: Nenhum componente real possui atraso nulo na comutação. Além disso, a velocidade de comutação do IGBT é considerada alta para as aplicações de alta potência para as quais ele foi projetado.
• (E) Correta: A principal característica e vantagem do IGBT é sua capacidade de operar como uma chave de alta velocidade de comutação para cargas de alta corrente e alta tensão, tornando-o ideal para aplicações de alta potência como inversores, acionamento de motores e fontes de alimentação chaveadas.