Questão nº 27

Questão de Engenharia Elétrica · FCC TRT15 2024 (nº 27)

FCC2024Analista Judiciário - Área Apoio Especializado - Especialidade Engenharia (Elétrica)Engenharia Elétrica
Gabarito: Ever comentário ↓

Considere as descrições relativas a dispositivos semicondutores.

Dispositivo I: Circuito integrado linear cuja tensão de saída permanece praticamente constante para uma determinada faixa de corrente, mesmo que a tensão de entrada sofra variações, dentro de limites mínimo e máximo.

Dispositivo II: Componente semicondutor que tem como um de seus parâmetros o hFE ou ganho de corrente direta.

Dispositivo III: Componente semicondutor que tem como um de seus parâmetros o VRRM ou tensão reversa de pico repetitivo.

Dispositivo IV: Sensor de luminosidade, cuja resistência diminui com o aumento da incidência da luz.

A denominação dos dispositivos descritos é:

Resposta comentada

Gabarito Alternativa E

O conceito-chave aqui é reconhecer as características e parâmetros específicos de diferentes dispositivos semicondutores, que são a base da eletrônica moderna. Cada componente tem uma função e um conjunto de propriedades que o tornam único para certas aplicações.

(A) Incorreta: A descrição I não se refere a um NTC (termistor de coeficiente negativo de temperatura, que varia resistência com temperatura), mas sim a um regulador de tensão. O hFE é de transistor bipolar, não de unijunção. O VRRM é de diodo, não de regulador de tensão. A descrição IV é de LDR, não de transistor de efeito de campo.
(B) Incorreta: Embora a descrição I esteja correta para "Circuito integrado linear – regulador de tensão", a descrição II (hFE) não se refere a um LDR (que é um sensor de luz), mas sim a um transistor bipolar. A descrição III (VRRM) não é de transistor de efeito de campo, mas sim de diodo. A descrição IV (sensor de luminosidade) não é de transistor bipolar, mas sim de LDR. Armadilha da banca: Esta alternativa começa com uma correspondência correta para o Dispositivo I, o que pode levar o aluno a pensar que está no caminho certo, mas as correspondências subsequentes para os Dispositivos II, III e IV estão incorretas ou trocadas, exigindo atenção a todos os itens.
(C) Incorreta: A descrição I não se refere a um PTC (termistor de coeficiente positivo de temperatura), mas sim a um regulador de tensão. O hFE é de transistor bipolar, não de transistor de efeito de campo. Embora III e IV estejam corretos, a alternativa como um todo está incorreta.
(D) Incorreta: Embora a descrição I esteja correta para "Circuito integrado linear – regulador de tensão", a descrição II (hFE) não se refere a um transistor de unijunção, mas sim a um transistor bipolar. A descrição III (VRRM) não é de transistor bipolar, mas sim de diodo. A descrição IV (sensor de luminosidade) não é de PTC, mas sim de LDR.
(E) Correta:

  • Dispositivo I: "Circuito integrado linear cuja tensão de saída permanece praticamente constante..." descreve perfeitamente um Circuito integrado linear – regulador de tensão, que tem a função de estabilizar a tensão de saída.
  • Dispositivo II: "Componente semicondutor que tem como um de seus parâmetros o hFE ou ganho de corrente direta" refere-se inequivocamente a um Transistor bipolar (BJT), onde hFE é o ganho de corrente no modo emissor comum.
  • Dispositivo III: "Componente semicondutor que tem como um de seus parâmetros o VRRM ou tensão reversa de pico repetitivo" é um parâmetro crucial para Diodo retificador, indicando a máxima tensão reversa que ele pode suportar repetidamente sem quebrar.
  • Dispositivo IV: "Sensor de luminosidade, cuja resistência diminui com o aumento da incidência da luz" é a definição exata de um LDR (Light-Dependent Resistor ou Fotorresistor).

Fonte: FCC TRT15 2024 Analista Judiciário - Área Apoio Especializado - Especialidade Engenharia (Elétrica) (Caderno Tipo 003). Reproduzida para fins de estudo.

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